П-17 Полевой транзистор с субмикронным затвором Шоттки

П-17 Полевой транзистор с субмикронным затвором Шоттки

Патент на полезную можнль

№ 69319

Краткое описание: Полевой транзистор с субмикронным затвором Шоттки, содержащий n слои, омические контакты стока и истока, Т-образный затвор.

Год начала использования: 2007

Патентообладатель: ОАО «ОКБ-Планета»

Уровень новизны: Новый на отечественном рынке